28nm膨胀AMD信心 HD7000系列显卡发布

PChome | 编辑: 马振华 2011-12-22 13:00:00原创 返回原文

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三个关键词 新技术AMD再次先行一步

AMD显卡的研发更新很有规律性,在去年这个时候HD6900系列显卡问世,几乎是一周年后的今天,再次迎来了HD7000系列显卡。由于种种原因中国国内还未拿可供测试的样卡,我们暂且先根据官方公布的有限资料对这个新系列产品做一些介绍,也缓和一下硬件发烧友们迫不及待的心情。

在介绍一些技术细节之前,笔者首先要向读者阐述几个关键词,它们代表相比上一代产品HD6900系列,新一代HD7000系列所做出的重大提升。(HD6800及以下型号和HD6900的架构存在区别,通常会将HD6900作为HD6000系列技术方面的代表)

关键词:28nm、PCI-E3.0、DirectX11.1

AMD显卡一向习惯做新技术实践的先行者,这一次也不例外。HD7000系列GPU芯片的制造果断采用台积电最新的28nm蚀刻技术,显卡接口也是紧随Intel芯片组步伐,支持PCI-E3.0标准,另外一个引人注目的就是获得对微软最新应用程序端口DirectX11.1的支持。以上技术的应用在图形芯片行业中实属首次。

面向不同消费群体的三款原生GPU

可能在早些时候,关注硬件发展的用户就获悉了AMD新GPU芯片的研发代号为“Southern islands”(南方群岛),与以往对产品线规划的思路相同,此研发代号下也产生了三款针对高中低消费层级的芯片,对应的产品线会基于这些芯片衍生。目前已知旗舰级芯片名为“Tahiti”,AMD官方号称其为当前最强大的图形处理器,对应显卡型号应为HD7970和HD7950。

HD7000系列将一如既往地延续AMD显卡引以为豪的一些功能特性,视讯输出方面提供DP1.2端口,可支持6联屏,而HDMI1.4则能配合高档显示器轻松应用AMD的HD3D技术。

内核规模膨胀 2048个计算线程384位宽

每当显卡行业有新品发布,在芯片架构和计算性能方面的升级进步都是最为人关注的话题,这方面AMD一直以有条不紊的步伐前进,大刀阔斧式的改变是比较罕见的。

从AMD官方给出的架构图来看,各部件的功能和组成结构基本沿用上一代HD6900系列的模式,28nm工艺可以让AMD在相同的DIE面积内整合更多的晶体管,换言之主要变化就是扩大了性能规模。

就以HD7000系列的旗舰芯片“Tahiti”为例,它共有512个流处理单元,每个单元采用VLIW4的结构,共计2048个逻辑线程,比上一代旗舰HD6970的“Cayman”多出了512个。不过这次AMD采用称为GCN的排列组成方式,有个32个GCN,每个GCN内部有16个流处理器单元,64个逻辑线程。

继续沿用从HD6000系列开始加入的双几何引擎设计,确保曲面细分的性能。

另一个引人注目的改进是增设了两个显存控制器端口,每个端口位宽64bit,总位宽达到了384bit,配合AMD对DDR5显存优秀的调控能力,预期可以更充分地发挥海量流处理器的性能,甚至会释放在HD6000系列中可能被抑制的性能。

关于流处理器内部微架构,VLIW5到VLIW4的转变是AMD近些年的一个重大改进,这个改进从HD6900系列开始,它将原本略显臃肿复杂的内核工作模式变得迅捷简单,降低了流处理器对程序指令调度的依赖,同时缩减了每个流处理器的体积,使芯片内能够整合更多的流处理器。

想了解微架构方面更多的技术细节介绍,有兴趣的读者可回顾笔者的HD6900显卡首测文章

此外,据说对显卡功耗的控制效果本代产品也有新的建树,官方资料里称“ZeroCore Power”(零核心功率)技术能让显卡在空闲时的功耗接近关闭状态。

芯片工艺制程的提升会对功耗控制起到相当大的帮助,AMD旗舰显卡的待机功耗从55nm时代的90W已下降到现在28nm下的3W左右。不过28nm毕竟是台积电刚刚掌握的技术,从以往的经验来看,早期或许可能存在漏电现象,影响功耗控制的预期效果,但随着生产技术经验的积累,会逐步改善。

由于还没有拿到HD7000系列送测样品,对它的介绍暂时只能进行到这里,AMD新一代显卡到底能否带给我们惊喜,还请读者们耐心等待随后而来的实物测试。

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