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内核规模膨胀 2048个计算线程384位宽
每当显卡行业有新品发布，在芯片架构和计算性能方面的升级进步都是最为人关注的话题，这方面AMD一直以有条不紊的步伐前进，大刀阔斧式的改变是比较罕见的。
从AMD官方给出的架构图来看，各部件的功能和组成结构基本沿用上一代HD6900系列的模式，28nm工艺可以让AMD在相同的DIE面积内整合更多的晶体管，换言之主要变化就是扩大了性能规模。
就以HD7000系列的旗舰芯片“Tahiti”为例，它共有512个流处理单元，每个单元采用VLIW4的结构，共计2048个逻辑线程，比上一代旗舰HD6970的“Cayman”多出了512个。不过这次AMD采用称为GCN的排列组成方式，有个32个GCN，每个GCN内部有16个流处理器单元，64个逻辑线程。
继续沿用从HD6000系列开始加入的双几何引擎设计，确保曲面细分的性能。
另一个引人注目的改进是增设了两个显存控制器端口，每个端口位宽64bit，总位宽达到了384bit，配合AMD对DDR5显存优秀的调控能力，预期可以更充分地发挥海量流处理器的性能，甚至会释放在HD6000系列中可能被抑制的性能。
关于流处理器内部微架构，VLIW5到VLIW4的转变是AMD近些年的一个重大改进，这个改进从HD6900系列开始，它将原本略显臃肿复杂的内核工作模式变得迅捷简单，降低了流处理器对程序指令调度的依赖，同时缩减了每个流处理器的体积，使芯片内能够整合更多的流处理器。
想了解微架构方面更多的技术细节介绍，有兴趣的读者可回顾笔者的HD6900显卡首测文章。
此外，据说对显卡功耗的控制效果本代产品也有新的建树，官方资料里称“ZeroCore Power”（零核心功率）技术能让显卡在空闲时的功耗接近关闭状态。
芯片工艺制程的提升会对功耗控制起到相当大的帮助，AMD旗舰显卡的待机功耗从55nm时代的90W已下降到现在28nm下的3W左右。不过28nm毕竟是台积电刚刚掌握的技术，从以往的经验来看，早期或许可能存在漏电现象，影响功耗控制的预期效果，但随着生产技术经验的积累，会逐步改善。
由于还没有拿到HD7000系列送测样品，对它的介绍暂时只能进行到这里，AMD新一代显卡到底能否带给我们惊喜，还请读者们耐心等待随后而来的实物测试。