根据英特尔的Tick-Tock战略，在两年前也就是2010年，处理器迎来了里程碑式的新纪元，基于32nm制程工艺的全新英特尔酷睿家族处理器亮相，由原有45nm制程到32nm制程的转变，使得处理器在尺寸、性能、功耗上都有长足的进步。
3D晶体管助力制程变革
在测试之前我们先来了解一下第三代智能酷睿处理器的新特性、新工艺。回顾在2012年4月24日，英特尔在具有科幻信息的北京天文馆，发布了首颗第三代智能四核处理器，预示着处理器制程工艺正式进入22nm时代。英特尔方面在会上表示，新的处理器将用于台式机、笔记本、一体台式机当中，并且在四月底就可以看到搭载新处理器的台式机上市，不过配备Ivy Bridge处理器的超极本，还要等到6月份才能与大家见面。
几大变革逐一看：
第三代智能酷睿处理器在多方面都有重大变革，总体来看即是22nm制程工艺、3-D晶体管、全新的HD4000核芯显卡以及原生支持USB3.0技术，下面我们就逐一为大家解析。
22nm技术：无法想象的高密度
第三代智能英特尔酷睿处理器的出现开创了“两个第一”——它是业界第一个实现了22纳米工艺的量产处理器，也是业界第一次采用创新的3D晶体管技术（3-D Tri-Gate）的处理器。 在第三代智能英特尔酷睿处理器发布前夕，我们带着更多的期待来为广大网友解读Ivy Bridge的这两大核心技术。
22nm晶体管
根据英特尔产品市场部担任资深架构经理 赵军先生的介绍：一个句号上就可以容纳超过600万个22纳米晶体管，是不是很惊人呢！除此之外，第三代智能酷睿处理器不仅仅是制程技术从上一代的32纳米跨越到22纳米，更重要的是采用了革命性的3-D三栅极晶体管技术，从而使得处理器晶体管数量达到十四亿！
3-D晶体管：平面栅极从硅基底上站起来
3-D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的，晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。
3-D晶体管示意图
如果大家看上面的解释过于复杂，那么可以看看下面的图示，简单的来说就是平面栅极从硅基底上站起来，三面都安排了一个栅极，晶体管排列更加紧密，提高晶体密度从而提升性能。
HD4000核芯显卡：入门独显末日将至
第三代智能英特尔酷睿处理器无缝融合的核芯显卡，性能全面提升，轻薄冷静之间玩转高清影音处理，并轻松驾驭主流3D游戏。
入门独显无处容身
挑电脑，您选对显卡了吗？只要发烧配置而不在乎机身发热和噪音可不够明智。第三代智能英特尔酷睿无缝融合的核芯显卡，性能再次飞跃，3D图形性能比上一代产品提升高达60%，多媒体影音处理速度提升一倍；同时，它的超低功耗特性更为您的电脑带来清凉安静、持久续航的使用体验。
原生支持USB 3.0、更强性能的显示单元
最终的产品方面，研发代号为Ivy Bridge的第三代智能英特尔酷睿处理器带来了诸多新的特性，如原生支持USB 3.0、支持Configurable TDP技术、同时还具有更强性能的显示单元（HD4000系列，支持DX11）。配套主板方面，Ivy Bridge处理器将搭配新一代Panther Point 7系列主板，但使用6系列主板可以通过更新BIOS的方式提供对Ivy Bridge的支持，为用户升级提供了方便。
原生支持USB3.0
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