采用TLC闪存的三星840固态硬盘
三星于24日在韩国首尔新罗酒店（Shilla Hotel）举行的SSD全球峰会上正式发布了新一代840系列固态硬盘，除了定位高端、性能出众的840 PRO之外，还有定位主流，也是首款采用TLC闪存的840。几天前我们对840 PRO做了大概的解析，今天我们就来聊聊后者。
2012三星SSD全球峰会
从去年年底开始，关于TLC闪存将被用于SSD的话题就不止一次被提到。最初OCZ宣称他们将使用INDILINX nDurance技术来提高SSD的纠错能力以使得采用TLC成为可能。不过三星却成了第一个吃螃蟹的厂商。于是，有关TLC的争论就此展开。
TLC特点：廉价大容量、高延迟低寿命
TLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲，SLC只有两个电平状态，MLC则为4个，TLC则多达8个，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。
三星840系列固态硬盘
由于TLC拥有多达8个电平状态，因此在电位控制上更加复杂，特别是写入速度会大受影响，延迟增加。加之如此多的电平状态，电子一旦溢出变会非常容易导致出错，难以控制，这就是为什么需要更强ECC纠错能力的原因，否则TLC闪存的寿命将会不堪一击。
SLC、MLC、TLC
遗憾的是三星并未公布840固态硬盘的具体耐久度数字，只是表示在很多采用MLC的竞品当中也“很有竞争力”。从一些资料来看，840所采用的三星21纳米Toggle 2.0闪存的耐久度应该在1K P/E左右。同样三星也没有公布TLC具体的延迟参数，只是表示比MLC慢大概50%。
相比830系列：持续写稍弱随机读写更强
三星840固态硬盘提供120GB、250GB和500GB三种容量，设置了一定比例的OP预留空间。对于采用TLC闪存的产品而言这显然是必要的。更大的预留空间可以更好地执行磨损平衡，也可以减小写入放大，从而延长闪存的寿命。当然，ECC纠错能力的改进也是必须的。三星既然宣传在MLC竞品阵营当中也很有竞争力，我们有理由相信三星在这方面做了不少的优化。
840和830性能对比
来看看840PRO、840以及830三款产品的性能参数，以250GB/256GB为基准，三星840的持续写入速度明显较低，但随机读写性能相比830系列都有显著增长。特别是在830时代高队列深度下随机写入性能不足的问题得到彻底根治。显然这也是得益于新的主控和Toggle DDR2.0闪存所带来的优势。
PCMark 7性能对比
在三星公布的PCMark 7的参考测试中，三星840也有不俗表现，超过5300分的表现就现在来看还是可以算在中高档行列的，而超过5500的得分已经可以算作顶级行列了。当然，这张对比图标中，作为对比的机械硬盘仅1576的得分实在是有些过低了。
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