三星840新固件128KB连续读写测试
在三星发布完用于修正因为擦除而导致挂盘Bug的固件DXM03B0Q（针对840PRO的版本）之后，他们于上周又再一次发布了更新的DXM04B0Q。从官方的介绍来看，新的固件改善了在“Dirty State”下的写入性能，而笔者又获悉该版本固件在持续读取和TRIM方面也有所改善。为了求证这个问题，我们也进行了简单的测试。
我们使用的是512GB的三星SSD 840 PRO固态硬盘，先后搭载DXM03B0Q固件以及DXM04B0Q固件进行了简单的对比测试。测试软件使用IOMeter 1.1.0 RC1，在8GB LBA范围下，进行128KB连续读写和1MB连续读写的测试，测试进行2分钟，记录下8个成绩来进行对比。
128KB连续读取测试
DXM03B0Q固件成绩：513.12MB/s
DXM04B0Q固件成绩：514.46MB/s
128KB连续写入测试
DXM03B0Q固件成绩：489.46MB/s
DXM04B0Q固件成绩：487.48MB/s
连续读取性能的确有了小小的提升，但是幅度太小，几乎可以忽略，甚至可以认为这是误差（其实笔者进行了大概两次测试可以排除是误差的可能），反而连续写入的性能却有稍许下降。
三星840新固件1MB连续读写测试
1MB连续读取测试
DXM03B0Q固件成绩：546.28MB/s
DXM04B0Q固件成绩：547.60MB/s
1MB连续写入测试
DXM03B0Q固件成绩：524.63MB/s
DXM04B0Q固件成绩：524.52MB/s
1MB连续读写和128KB的情况差不多，变化实在太小，对用户的体验甚至理论跑分都不会产生什么影响。
对于固件更新的另一项改善了在“Dirty State”下的写入性能，这分明指代的是在GC态下的随机写入性能。笔者之前进行过全盘范围下的30分钟随机写入测试，使用的是256GB的版本，新版固件确实有稍许提升，但是幅度和前面的连续读取测试一样（针对这一项我们还会换一种测试方法并在设定一定OP下再测试），包括对SSD进行快速格式化考察TRIM效能，这些变化都很小很小，没有本质上的差异。
很多朋友记得Crucial m4当初升级了0009版固件之后有如打了鸡血一般，但对于三星SSD 840 PRO来说，本身性能已经非常强悍，所以我们认为后面的固件不过是进行进一步的调整和优化，应该不会出现令人激动人心的“鸡血”固件。
网友评论