东芝公司今天宣布，与合作伙伴SanDisk一起开发成功56nm工艺8Gb（1GB）/16Gb（2GB）闪存芯片。与以往的产品一样，这两种芯片仍然采用MLC（Multi Level Cell）存储架构。
东芝公司今天宣布，与合作伙伴SanDisk一起开发成功56nm工艺8Gb（1GB）/16Gb（2GB）闪存芯片。与以往的产品一样，这两种芯片仍然采用MLC（Multi Level Cell）存储架构。
东芝表示，56nm工艺样品在2006年年底已经完成工程样品，东芝现在已经开始增加8Gb芯片的样品出货量，将在今年1月正式批量生产。16Gb芯片计划于2007年第一季度末之前批量样品供货，第二季度初期实现正式的批量生产。
东芝宣称，新的MLC技术使得新产品的存储密度和写入性能得到了明显提高。56nm的16Gb芯片是目前存储密度最大的NAND闪存，较以往的70nm 8Gb芯片有着明显的进步。而写入性能也达到了10MB/s，是东芝以往MLC产品的两倍，为了实现这一目标，东芝将NAND闪存的页（Page）容量提高了一倍，从2112字节提升到了4314字节（4096字节存储容量＋218字节ECC校验数据）。
东芝表示，将进一步改进生产效率与良率，以向NAND闪存市场提供有足够成本竞争力的产品。
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