谈及索尼今年的的手机，相信给各位留下印象最深的应当就是两款性能强大的旗舰机型——L36h以及L35h。虽然两款产品足够完美，但是我们发觉去年在其身上见到的透明带设计却不见了影踪。不过最近索尼Xperia SP的发布无疑给喜爱索尼的一众粉丝带来了惊喜，金属的机身材质，经典的
索尼M35h：性能解析
之前我们说过，索尼M35h在处理器上使用了高通MSM8960T双核处理器，28nm制程工艺，主频为1.7Ghz，相比之前的MSM8960提升的主要方面在于GPU图形上，升级到了Adreno320,而此前的MSM8960为Adreno225，这也使得MSM8960T的图形处理器和高通四核APQ8064的保持一致，图形性能非常不错。
GPU的提升很大
话不多少，我们来查看一下具体的机身硬件信息。
从总分上也已经是四核的水准
而跑分的结果也同样支持了我们的猜测，在提升了0.2GHz的主频和搭配Adreno320之后，安兔兔的跑分比之前的MSM8960高出了4000分左右。那么究竟在GPU上具体表现如何，我们还需另外一款软件的帮助。
NenaMark1截图
NenaMark2截图
通过NenaMark，我们再次验证了M35h在GPU上的表现惊人，与四核骁龙Msm9064在这一环节的表现不遑多让。所以综合来讲这款索尼M35h在性能上有着堪比主流四核的水准。如果非要找一个弱项来说的话，那就是RAM的大小任然制约着他的表现。
FY索尼M35h:镜头上的大胆突破/FY}
拍照美型，一直是大家对于索尼手机的一贯印象，而索尼对于镜头上的选用也毫不吝啬，此次的M35h则配备了一枚搭载Exmor RS传感器的800万像素摄像头，也就是堆栈式背照CMOS。那么谈到堆栈式与索尼传统的背照式有什么区别的，我们慢慢讲来。
背照式工作原理解析
传统的Exmor R CMOS背面照明技术感光元件，改善了传统CMOS感光元件的感光度。Exmor R CMOS采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术，由于不受金属线路和晶体管的阻碍，开口率（光电转换部分在一个像素中所占的面积比例）可提高至近100%。与其以往1.75μm间隔的表面照射产品相比，背面照射产品在灵敏度（S/N）上具有很大优势。
背照式与堆栈式的区别
而谈到堆栈式CMOS，英文名称叫做"Stacked CMOS"，也可以翻译为"积层式CMOS"。它是使用有信号处理电路的芯片替代了原来背照CMOS图像传感器的支持基板，在芯片上重叠形成背照CMOS元件的像素部分，从而实现了在较小的芯片尺寸上形成大量像素点的工艺。由于像素部分和电路部分分别独立，因此像素部分可针对高画质优化，电路部分可针对高性能优化。
这一技术在索尼新一代旗舰产品广为应用
也因此在集合了两种技术之后的M35h既能够针对画质进行优化，又能有效的节省空间，尽可能的将感光做到最大，从而进一步提升拍照效果。所以说索尼这款手机在各方面的设计都是很均衡强大的。
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