根据Intel公司最新发布的技术细节内容来看，Intel公司已经在最新的45纳米芯片制程技术方面取得了突破性的进展，并且采用45纳米芯片制程技术成功生产出五款芯片，同时在新制造技术中也采用了新材料，Intel公司表示这也是芯片制造领域额技术性突破。
根据Intel公司最新发布的技术细节内容来看，Intel公司已经在最新的45纳米芯片制程技术方面取得了突破性的进展，并且采用45纳米芯片制程技术成功生产出五款芯片，同时在新制造技术中也采用了新材料，Intel公司表示这也是芯片制造领域额技术性突破。
Intel目前是业内首家能够借助最新的45纳米制造技术，配合使用新材料降低封装尺寸，提升芯片性能表现的it企业，Intel公司已经在使用一种专为晶体管门电介质而开发的high-k特质的新材料，这是一种专为晶体管门电极而设计的一种复合金属材料。
Intel公司核心奠基人Gordon Moore曾表示，自从1960年开始引入多晶硅门MOS晶体管概念时期算起，全新high-k和金属材料制造技术将会为晶体管技术发展带来巨大变革。
二氧化硅在晶体管门电路制造技术领域已经发展超过40年，借助制造技术的不断发展，业界已经可以制造效能越来越强，体积越来越小的晶体管电路。Intel已经成功完成二氧化硅门电路的1.2纳米超薄制造技术，这个宽度等同于5个原子层的尺寸，这一技术已经在先前的65纳米芯片制造方面广泛使用，但是如果希望再继续降低尺寸，增加电路间密度的话，就将会导致更为严重的电流消耗量，进而产生更多热力损耗。
超薄二氧化硅门电路结合晶体管门电路封装技术已经被整个业界作为公认的摩尔法则在应用，为解决电路限制等问题，Intel将二氧化硅更换为高浓度铪（Hafnium，：一种锆矿中分离出来的亮银色金属元素，用于核反应堆的控制棒，可形成氧气和氮气的保护膜，还用于钨丝的制造）介质high-k材料融入到门电路中，用以降低相比当前二氧化硅厚度还要低10倍的晶体管电路中，而二氧化硅门电路技术设计应用已经超过10年之久。
由于high-k门电路还不能和当前的硅门电极形成良好的互融性，Intel 45纳米晶体管原料的第二部分改进就在于所开发出来的最新金属门电路材料。借助当前还在保密阶段的全新特殊金属，Intel公司将会借助两种不同金属材料的复合制造技术应用到晶体管门电路制造领域中。
Intel所提出的应用于45纳米芯片制程技术的金属门电路和high-k门电介质复合结构能够提供超过20%的驱动电流提升幅度，这将意味着更高的晶体管效能技术已经成功开发出来，逆向降低源极通道封装密度可以达到原先的5倍，这将进一步提升晶体管的效能等级。
Intel的45纳米制程技术相比前一代65纳米技术将会有大约2倍左右的晶体管密度提升空间，这将帮助Intel公司不仅在提升晶体管总量方面有更强优势，而且也能够制造尺寸更小的处理器。
由于45纳米晶体管相比上一代仍然有很多相似之处，而在晶体管电路开关动作方面有更低能耗表现，这将帮助Intel解决大约30%的电路开关功耗，Intel同时还将运用low-k电介质铜导线应用到45纳米内部互联技术中，用以提升芯片性能，降低功耗，全新技术采用革命性的设计规则，以及高阶的遮罩技术来扩展应用193纳米干化平版蚀刻技术生产45纳米处理器，这将会为Intel的芯片制造提供更具影响力的产能优势。
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