在NAND闪存领域，美国美光(Micron)公司再次走在了前列，因为他们已经在开发25nm工艺设备。
在NAND闪存领域，美国美光(Micron)公司再次走在了前列，因为他们已经在开发25nm工艺设备。
美光CEO、总裁兼董事长Steve Appleton在接受采访时称，25nm工艺的NAND闪存生产设备正在其实验室中进行开发，不过尚未最终成型，他也没有披露具体的技术细节。
美光COO Mark Durcan给出了一张该设备的照片，作为证明，并补充说美光不会停留在50nm上，至少三年后就会进入25nm时代。
去年，美光与Intel合作发布了50nm、4Gb的NAND芯片，取得了一定的领先优势，但三星随后在9月推出了业界首颗40nm、32Gb NAND芯片，并具有三星特有的CTP架构技术，还使用了high-k介质技术。
今年的NAND闪存有望大幅降价50-65％。
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