总结：开创3D NAND技术的崭新时代
三星850 PRO和840 PRO
限于SATA 6Gbps的总线带宽，三星850 PRO的发挥的确受限，它的绝对速度指标相比上一代840 PRO很难有实质性的提升。单从性能上来说，如果你现在在使用840 PRO，那么无需急于升级到850 PRO。不过经过近两年的沉淀，作为840 PRO的取代者，850 PRO作为业内首款采用3D V-NAND技术的消费级SSD，对闪存行业的意义可以影响到后面的十年，技术达人和发烧友们绝对不可错过。
我们再次总结来看，850 PRO相比840 PRO，还有如下诸多加强：
1. 850 PRO的最大容量从840 PRO的512GB轻松提升至1TB；
2. 850 PRO的128GB型号性能比840 PRO的128GB有实质性提升，这意味着小容量SSD将不再是性能低下的代名词；
3. 850 PRO的耐久性指标比840 PRO提升了一倍，同时也比市面上同等级的SSD的耐久性也高出仅一倍；
4. 在DevSleep模式下，结合LPDDR2缓存和3D V-NAND的应用，850 PRO有着更好的能耗表现
5. 850 PRO拥有更为完善的数据保护机制，提供对TCG Opal和BitLocker的完好支持。
前四项毫无疑问都和3D V-NAND技术的应用息息相关，事实上，三星在平面型闪存的封装技术上也已经达到了很深的造诣，他们早在2012年给Retina MacBook Pro提供的就是已经采用了16层堆叠的SSD。在去年他们推出的840 EVO mSATA 1TB上，更采用了单层128Gb、16层堆叠的闪存，单颗NAND的容量达到了256GB！同样在OEM领域提供的XP941，采用的是单层64Gb、16层堆叠的闪存。
三星预计到2017年实现100层堆叠
不过现在借助3D V-NAND，目前已经可以实现单层86Gb、32层封装，单颗NAND的容量可以做到344GB，理论上在2.5英寸规格的SSD上可实现2TB、在M.2 2280规格上可以实现1TB。如果是生产基于NVMe协议的PCIe SSD，3D V-NAND的潜力才可以真正释放。三星预计，到了2017年，3D V-NAND可以实现100层堆叠！
毫无疑问，3D V-NAND是三星的未来，也是整个NAND行业的未来。在1ynm时代，耐久性、出错率、延迟都已经是越来越棘手的问题，3D NAND技术是解决这些问题的最佳途径。在这个节点上，三星无疑再次走在了行业前列。
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