845DC PRO：采用3D V-NAND的DC SSD
去年8月，三星在闪存峰会上推出了首款采用3D V-NAND闪存的SSD，主要面向数据中心市场。而今年，随着消费级旗舰产品850 PRO的发布，针对数据中心领域的产品也进行了更新，这就是845DC PRO。三星上月发布的845DC EVO是针对读取密集型应用环境，采用的是19nm TLC闪存，而845DC PRO则是针对写入密集型应用环境，采用的是24层3D V-NAND闪存。
近两年SSD在数据中心的应用成为了热门话题，并且已经成为了这个市场的一个全新分支，DC（DataCenter）也成为了这些产品的标准后缀。比如，英特尔的DC S3700系列，美光的M500DC系列，以及现在的三星845DC系列。
三星845DC PRO系列
三星845DC PRO系列设计用于写入密集型应用，比如在线交易等环境，需要持续的高IO和低延迟指标。因此，三星845DC PRO拥有超高的耐久性指标，400GB提供7.3PB的TBW，800GB拥有高达14.6PB的TBW，相当于5年内每天写10次全盘的寿命。
根据编号，三星845DC PRO采用的其实是和840 PRO一样的MDX主控，均为S4LN021X01-8030，它采用三核心Cortex-R4设计，拥有300MHz主频。支持LPDDR2缓存，最大为1GB。
三星3D V-NAND
闪存方面，三星845DC PRO采用的是三星第一代3D V-NAND技术，单层容量为128Gb，最高可实现24层堆叠。具体到这款SSD来看，它配置了8个闪存编号为K9PKGY8S7M-CCK0的颗粒，构成1TB的物理容量，预留空间比例达到了28%。单个颗粒为128GB，仅用了8层堆叠。
三星845DC PRO 800GB标签
性能指标方面，845DC PRO拥有最高530MB/s和460MB/s的持续读写速度，最高92K IOPS的随机读取性能，稳定态下提供最高51K IOPS的随机写入性能。延迟方面，随机4K读取为110us，随机4K写入为50us。
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