美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市，2015年8月5日–全球领先的闪存存储解决方案提供商SanDisk闪迪公司（纳斯达克交易代码：SNDK）今日发布了256 Gigabit(GB) 3位元型(X3) 48层3D NAND芯片，并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线。
美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市，2015年8月5日–全球领先的闪存存储解决方案提供商SanDisk闪迪公司（纳斯达克交易代码：SNDK）今日发布了256 Gigabit(GB) 3位元型(X3) 48层3D NAND芯片，并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线。
SanDisk闪迪公司执行副总裁、主管存储技术的Siva Sivaram博士表示：“我们很高兴地宣布我们首款量产3D NAND芯片的发布。它是全球首款256 GB三位元型(X3)芯片，采用我们业内领先的48层BiCS技术1开发，展现了SanDisk闪迪在X3技术领域的持续领先地位。我们将基于该芯片，为我们的客户交付卓越的存储解决方案。”
BiCS是一个非易失性存储器架构，旨在为基于闪存的设备提供更高的存储密度、可扩展性和性能。与常规的2D NAND相比，BiCS NAND存储器还将具备更好的写/擦耐久力、更快的写入速度和更高的能效。
SanDisk闪迪的256 GB X3BiCS芯片可广泛应用于各类消费者、客户端、移动和企业级产品，预计将于2016年开始应用于SanDisk闪迪的产品中。
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