高通宣布，将在2月22日于北京举办骁龙835的亚洲首秀活动，届时将详细介绍这款处理器的规格和技术细节。
【PChome 手机频道资讯报道】高通宣布，将在2月22日于北京举办骁龙835的亚洲首秀活动，届时将详细介绍这款处理器的规格和技术细节。
作为高通目前最顶级的移动处理器产品，高通骁龙835在2016年11月正式发布，并且在CES、MWC上再次公布部分规格。这款处理器作为目前最顶级的产品，是诸多旗舰机型的标准配置。
高通骁龙835处理器采用三星10纳米 FinFET工艺。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
新的骁龙835处理器，将支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。
高通骁龙835采用8核Kryo 280架构，4大核最高主频2.45GHz，4小核最高频1.9GHz，骁龙835配备Adreno 540 GPU，还集成下行速率高达1Gbps的X16通信基带。
拍照方面通过Hexagon 690 DSP、Spectra 180 ISP和Adreno 540 GPU的配合，具有更为优秀的拍照效果和更快的对焦速度。软件算法方面，高通推出了电子防抖3.0、高级4K视频防抖、滚动快门校正、双镜优化等。
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