台积电将投200亿美元开发3nm工艺 这下Intel被甩的有点远

互联网 | 编辑: 顾亦飞 2017-10-16 10:48:04编译

近日,台积电在公告中宣布其在台湾本地的南科台南园区选择了一块3nm工艺芯片的研发场地,总投资规模将高达200亿美元。而根据台积电预估,3nm工艺的量产计划最早会在2022年后实现,这远比Intel的计划要早,因为英特尔目前只计划在未来几年采用10nm、7nm这样更为成熟的芯片工艺。

【PChome整机频道资讯报道】近日,台积电通过公告称他们现已将3nm工艺芯片的研发选址定在台湾南科台南园区,不过台积电官方并没有公布该投资计划的详情,台湾经济部门预计,台积电这次投资3nm工艺的规模至少为5千亿新台币,同时业界还有分析认为,3nm芯片的节点将大量采用EUV光刻技术,新技术+新研发场地,台积电这次的总投资额或将高达200亿美元,这也将成为台湾科技史上投资规模最大的计划。

而3nm工艺会在何时问世呢?台积电预计其量产时间是在2022年之后。根据之前的消息,台积电目前的进度是计划在2018年量产7nm工艺芯片,增强版7nm工艺则是2019年问世,5nm工艺预计在2020年量产,所以3nm工艺需要等到5nm工艺量产之后才能看到。

此前,Intel也曾提到了正在研发的5nm、3nm工艺,但是向来以“牙膏厂”著称的Intel,在之后的产品中应该会先带来最成熟的10nm工艺,未来也会先采用更为保守的7nm工艺。至于3nm工艺,目前来看一切都是未知数,台积电如果能早于Intel实现3nm芯片的量产,也许Intel在芯片工艺领域会被甩开一大截。

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