近日，台积电在公告中宣布其在台湾本地的南科台南园区选择了一块3nm工艺芯片的研发场地，总投资规模将高达200亿美元。而根据台积电预估，3nm工艺的量产计划最早会在2022年后实现，这远比Intel的计划要早，因为英特尔目前只计划在未来几年采用10nm、7nm这样更为成熟的芯片工艺。
【PChome整机频道资讯报道】近日，台积电通过公告称他们现已将3nm工艺芯片的研发选址定在台湾南科台南园区，不过台积电官方并没有公布该投资计划的详情，台湾经济部门预计，台积电这次投资3nm工艺的规模至少为5千亿新台币，同时业界还有分析认为，3nm芯片的节点将大量采用EUV光刻技术，新技术+新研发场地，台积电这次的总投资额或将高达200亿美元，这也将成为台湾科技史上投资规模最大的计划。
而3nm工艺会在何时问世呢？台积电预计其量产时间是在2022年之后。根据之前的消息，台积电目前的进度是计划在2018年量产7nm工艺芯片，增强版7nm工艺则是2019年问世，5nm工艺预计在2020年量产，所以3nm工艺需要等到5nm工艺量产之后才能看到。
此前，Intel也曾提到了正在研发的5nm、3nm工艺，但是向来以“牙膏厂”著称的Intel，在之后的产品中应该会先带来最成熟的10nm工艺，未来也会先采用更为保守的7nm工艺。至于3nm工艺，目前来看一切都是未知数，台积电如果能早于Intel实现3nm芯片的量产，也许Intel在芯片工艺领域会被甩开一大截。
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