西部数据公司宣布推出全新的iNAND嵌入式闪存iNAND 8521和iNAND 7550，两款闪存分别为UFS与eMMC接口，它们借助西部数据64层3D NAND技术，能够提供卓越的数据性能和高容量存储。
2017年在手机存储上的诸多事件，让用户对于手机存储的重视程度越来越高。存储芯片的价格飙升与国内主流手机的64GB存储普及，更是加速了大家对存储的重视。随着移动产业的不断发展与5G时代带来的冲击，用户数据量、数据的产生速度、多样化和其带来的价值都持续呈指数级增长和演变，包括大数据、快速数据和个人数据各个方面。
2017年12月7日，西部数据公司宣布推出全新的iNAND嵌入式闪存iNAND 8521和iNAND 7550，两款闪存分别为UFS与eMMC接口，它们借助西部数据64层3D NAND技术，能够提供卓越的数据性能和高容量存储。新款闪存专为智能手机所打造，在海量的存储中兼顾读写速度，显著提升AR/VR、高分辨率视频和社交媒体等多种应用的体验。
西部数据公司 嵌入式及集成解决方案产品市场管理总监-包继红女士
Counterpoint Research智能设备及生态系统研究总监闫占孟先生表示：“我们预计到2018年末，全球每部智能手机的平均存储容量将攀升到超过60GB，用以支持由设备上人工智能和增强现实所带来的日益增多的丰富多媒体内容和数据驱动体验。这推动了我们向先进的3D NAND嵌入式闪存解决方案演进，从而进一步推动这些丰富的体验。”
iNAND 8521针对旗舰移动设备
iNAND 8521嵌入式闪存盘专为需要使用大量数据的用户设计，采用UFS 2.1接口和西部数据新型第五代SmartSLC 技术。相比于公司面向旗舰智能手机的上一代iNAND移动解决方案iNAND 7232嵌入式闪存盘，这次的iNAND 8521提供了两倍的顺序写入速度和高达10倍的随机写入速度。通过快速并智能响应用户的应用性能需求，它使用户能够快速玩转虚拟现实游戏，并且快速下载高清电影。此外，当服务提供商向5G网络演进时，iNAND 8521嵌入式闪存盘卓越的数据传输速度还将允许移动用户利用更快的Wi-Fi和网络增强功能。
iNAND 7550适用高容量主流智能手机
iNAND 7550嵌入式闪存盘帮助移动设备制造商打造存储空间充足且具有高性价比的智能手机和计算设备，以满足消费者不断增长的存储需求，同时提供快速且具吸引力的应用体验。iNAND 7550嵌入式闪存盘基于eMMC 5.1规范，是目前西部数据基于广为使用的eMMC接口的高性能iNAND嵌入式解决方案，可提供高达260 MB/秒的顺序写入性能以及20K IOPS和15K IOPS的随机读/写性能，更有助于同时加快自身和应用启动的速度。
编辑点评：这两款全新的嵌入式闪存，均提供了32GB/64GB/128GB/256GB存储空间选择，主流定位的手机均能够找到合适的选择。闪迪新款嵌入式闪存进入市场，至少能够给目前处于涨势的闪存注入新活力，它让手机厂商多了一种选择，对于供不应求的现状也能够有所缓和。
网友评论