Intel相中紫光 授权最先进的3D NAND闪存技术

互联网 | 编辑: 顾亦飞 2018-03-15 15:06:37编译

近日据韩国媒体报道,Intel正在与中国紫光集团谈判,授权其生产64层3D NAND闪存,是为了满足NAND闪存的市场需求。

【PChome整机频道资讯报道】近日有韩国媒体报道,Intel正在与中国紫光集团谈判,授权其生产64层3D NAND闪存,是为了满足NAND闪存的市场需求。Intel当前使用和供应的闪存都来自IMFlash,Intel现在急需一个伙伴来消化当前闪存市场的需求。

紫光将会成为中国半导体行业发展中大力扶持的关键对象。目前,紫光已经投资300亿美元在南京建立自己的内存工厂。未来五年,中国将在半导体行业投入1万亿元人民币,目标是到2025年将自主产能提高到70%,紫光自然扮演着极为关键的角色。

目前IMFlash还在开发新一代96层堆叠3D闪存,并辅以10nm级别制造工艺,容量密度将比现在的64层提高一倍,未来也有望落户紫光。

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