比普通内存快1000倍 中国投资130亿元量产相变内存

互联网 | 编辑: 顾亦飞 2018-03-28 10:04:24编译

3月22日来自中国江苏网的消息称,江苏淮安市时代芯存公司投资130亿元建设了国内最大的相变存储基地,上周已经开始正式运营。该工厂用于生产PCM相变存储芯片,其性能和稳定性都是传统内存的1000倍。

【PChome整机频道资讯报道】放眼全球的内存市场,三星、SK Hynix和美光三家公司所占的市场份额高达95%,国内的内存生产商一直都处在非常被动的境地。尽管有紫光、长鑫、兆易创新等公司投身存储芯片市场,但是在DDR内存技术上国内与国外的差距还是相当明显。

更何况,内存上的技术也不只一个传统的DDR,现在国内还在研究PCM相变存储技术,相比传统内存它的优势有很多,比如其传输速度比DDR快了1000倍,耐用性也是传统内存的1000倍。

比内存快1000倍:中国投资130亿元量产相变内存

3月22日来自中国江苏网的消息称,淮安市集成电路产业暨江苏时代芯存半导体有限公司相变存储器工厂竣工,运营启动仪式在淮安高新技术产业开发区顺利举行,此举标志着130亿元投资的相变存储项目开始进入运营阶段,预计年产值45亿元。

据之前的消息,江苏淮安的这个项目总投资130亿元,一期投资43亿元,建成后将年产10万片12英寸PCM相变存储芯片。相变存储芯片被成为21世纪的存储芯片标准,与传统存储芯片相比,它是一种非易失性存储芯片,理论上其传输速度和耐用性都是传统内存的1000倍。

不过现在可以量产的PCM存储芯片并没有这么强,早前还有传言称Intel的3D XPoint闪存也是一种PCM存储芯片,只不过一直没有被证实,但是比较巧合的是,Intel在宣传这项技术时突出的特点就是:其性能是闪存的1000倍,可靠性也是闪存的1000倍,同时容量密度是闪存的10倍。

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