近日，西部数据披露，其第四代BiCS4 3D NAND闪存进展非常顺利，已经出货给特定零售客户，接下来还会在旗下其他存储产品上应用。据悉，西数的BiCS4技术采用96层堆叠设计，可用来制造TLC、QLC NAND闪存颗粒。
【PChome整机频道资讯报道】近日，西部数据披露，其第四代BiCS4 3D NAND闪存进展非常顺利，已经出货给特定零售客户，接下来还会在旗下其他存储产品上应用。
具体来说，西数的BiCS4技术采用96层堆叠设计，可用来制造TLC、QLC NAND闪存颗粒。 而去年西数还透露过，96层堆叠闪存初期用来制造3D TLC闪存，单Die容量256Gb(32GB)，在良品率足够高之后，会转向更高容量的3D TLC，并最终制造3D QLC，使得SSD的容量可达1Tb(128GB)。
西数和东芝去年还曾经宣布过单Die容量768Gb(96GB)的BiCS3 64层堆叠3D QLC闪存颗粒，很可能会在96层QLC之前上市。此前美光已经出货了第一款基于QLC闪存的固态硬盘，不过该存储产品的擦写寿命只有1000次，耐用性并不高。
QLC闪存每单元可以保存4比特数据，相比TLC又多了三分之一，既有利于做大容量，也有利于降低成本，必然是闪存厂商们未来的重点，哪怕它寿命和性能继续大幅度下滑。
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