三星宣布量产1TB UFS 2.1闪存 性能飙升38%

PChome | 编辑: 薛屾 2019-01-30 11:12:05原创

三星方面今天宣布,已经开始量产1TB容量的UFS 2.1闪存,该闪存运用第五代V-NAND技术,可提供海量的存储容量,在存储速度上是典型microSD卡速度的10倍,适用于数据密集型设备应用。

【PChome手机频道资讯报道】三星方面今天宣布,已经开始量产1TB容量的UFS 2.1闪存,该闪存运用第五代V-NAND技术,可提供海量的存储容量,在存储速度上是典型microSD卡速度的10倍,适用于数据密集型设备应用。

三星方面表示,在相同封装尺寸(11.5mm x 13.0mm)内,1TB UFS解决方案比先前的512GB存储空间大了一倍,它将16个堆叠的三星最先进的512千兆位(Gb)V-NAND闪存和新开发的专有闪存组合在一起。

在存储性能方面,1TB UFS闪存有着更快读写速度,其连续读取速度高达1000MB/s,是STAT固态硬盘的两倍,随机读写速度分别为58000 IOPS和50000 IOPS,整体性能比起512GB闪存提升了38%左右。

优秀的性能有助于使用该闪存的手机改善性能表现,尤其是在960帧慢动作高速拍照以及多帧合成等拍照功能上,并使智能手机能够充分利用多摄像头功能。

编辑点评:三星在这个时间点量产,也基本石锤了Galaxy S10+的1TB存储顶配版本了。

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