三星方面今天宣布，已经开始量产1TB容量的UFS 2.1闪存，该闪存运用第五代V-NAND技术，可提供海量的存储容量，在存储速度上是典型microSD卡速度的10倍，适用于数据密集型设备应用。
【PChome手机频道资讯报道】三星方面今天宣布，已经开始量产1TB容量的UFS 2.1闪存，该闪存运用第五代V-NAND技术，可提供海量的存储容量，在存储速度上是典型microSD卡速度的10倍，适用于数据密集型设备应用。
三星方面表示，在相同封装尺寸（11.5mm x 13.0mm）内，1TB UFS解决方案比先前的512GB存储空间大了一倍，它将16个堆叠的三星最先进的512千兆位（Gb）V-NAND闪存和新开发的专有闪存组合在一起。
在存储性能方面，1TB UFS闪存有着更快读写速度，其连续读取速度高达1000MB/s，是STAT固态硬盘的两倍，随机读写速度分别为58000 IOPS和50000 IOPS，整体性能比起512GB闪存提升了38%左右。
优秀的性能有助于使用该闪存的手机改善性能表现，尤其是在960帧慢动作高速拍照以及多帧合成等拍照功能上，并使智能手机能够充分利用多摄像头功能。
编辑点评：三星在这个时间点量产，也基本石锤了Galaxy S10+的1TB存储顶配版本了。
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