美光试产成功uMCP5芯片 整合LPDDR5和NAND闪存

PChome | 编辑: 单亚凯 2020-03-17 05:00:00原创

美光宣布,已经成功试产了全球第一个将LPDDR5 DRAM内存与96层堆叠3D NAND闪存封装在一起的芯片“uMCP5”,整合了12GB容量、6400MHz频率、第二代10nm级工艺制造的双通道LPDDR5内存与256GB容量、96层堆叠、UFS接口的3D TLC闪存,以及板载控制器。

美光宣布,已经成功试产了全球第一个将LPDDR5 DRAM内存颗粒、96层堆叠3D NAND闪存颗粒整合封装在一起的芯片“uMCP5”,面向追求高速内存、高性能存储的主流和旗舰5G智能手机。

如今的5G旗舰手机已经将大容量LPDDR5内存、UFS 3.0/3.1闪存作为标准配置,但由于传统手机中的内存都是与SoC处理器整合封装,闪存则是独立芯片,会占用不少空间,加之5G手机内部元器件急剧增加、结构非常复杂,整体设计难度大幅增加。

美光uMCP5单芯片整合了12GB容量、6400MHz频率、第二代10nm级工艺制造的双通道LPDDR5内存,256GB容量、96层堆叠、UFS接口的3D TLC闪存,以及板载控制器,对外则是297针标准BGA封装。美光表示,uMCP5相比传统内存、闪存双芯片组合可以节省40%的面积,同时内存和存储带宽比上代方案提升50%。uMCP5芯片已经向特定客户提供样品。

(文中图片来自网络)

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