美光宣布，已经成功试产了全球第一个将LPDDR5 DRAM内存与96层堆叠3D NAND闪存封装在一起的芯片“uMCP5”，整合了12GB容量、6400MHz频率、第二代10nm级工艺制造的双通道LPDDR5内存与256GB容量、96层堆叠、UFS接口的3D TLC闪存，以及板载控制器。
美光宣布，已经成功试产了全球第一个将LPDDR5 DRAM内存颗粒、96层堆叠3D NAND闪存颗粒整合封装在一起的芯片“uMCP5”，面向追求高速内存、高性能存储的主流和旗舰5G智能手机。
如今的5G旗舰手机已经将大容量LPDDR5内存、UFS 3.0/3.1闪存作为标准配置，但由于传统手机中的内存都是与SoC处理器整合封装，闪存则是独立芯片，会占用不少空间，加之5G手机内部元器件急剧增加、结构非常复杂，整体设计难度大幅增加。
美光uMCP5单芯片整合了12GB容量、6400MHz频率、第二代10nm级工艺制造的双通道LPDDR5内存，256GB容量、96层堆叠、UFS接口的3D TLC闪存，以及板载控制器，对外则是297针标准BGA封装。美光表示，uMCP5相比传统内存、闪存双芯片组合可以节省40％的面积，同时内存和存储带宽比上代方案提升50％。uMCP5芯片已经向特定客户提供样品。
（文中图片来自网络）
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