全新的储存单元的诞生其能包含的容量已经超过目前闪存的一百倍，而所需能量也变得更少。
近日德克萨斯的工程师们创造出了目前世界上最小的储存单元，该储存单元能够用来制造每平方厘米25TB的储存芯片。
据外媒New Atlas报道，得克萨斯大学的工程师们创造了有史以来最小的记忆存储设备之一，由一种二维材料制成，横截面面积只有一平方纳米。
这种被称为 “原子电阻”的装置是通过单个原子的运动来工作的，这将为具有难以置信的信息密度的更小的记忆系统铺平道路。
这种新设备属于一类新兴的电子器件，称为记忆电阻(Memristors)，它使用电阻开关存储数据。从本质上讲，当某种材料暴露在一定的电压下时，其电阻可以切换，变得更强或更弱。这种现象可用于将数据写入设备，随后可测量其相对电阻以“读取”存储的数据。
该团队表示，新装置是有史以来最小的原子存储器单元。二硫化钼被制作成尺寸为1×1纳米的薄片，厚度只有一个原子。如果要扩大规模，它可以用来制造每平方厘米约25TB的存储容量的芯片，这比目前的闪存所能提供的容量高100倍左右。它运行所需的能量也更少。
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