RK835通过了PD2.0、PD3.0、PPS认证，编号TID 4325，支持QC 2.0、QC 3.0、QC 4.0、QC 4.0+、VOOC快充协议，能够快速便捷与各类电源芯片对接，支持18W-100W输出。
还记得OPPO某款手机的广告用语吗？“充电五分钟，通话两小时”这句话应该是耳熟能详的吧，但是你知道这款手机的快充芯片正是由国内知名的IC设计公司瑞芯微电子提供吗？近日，瑞芯微发布了两颗全新的通用快充协议芯片，分别是RK835、RK837。
RK835通过了PD2.0、PD3.0、PPS认证，编号TID 4325，支持QC 2.0、QC 3.0、QC 4.0、QC 4.0+、VOOC快充协议，能够快速便捷与各类电源芯片对接，支持18W-100W输出。
内部集成ARM Cortex-M0内核、60KB Flash、1KB RAM，从而实现对PD和其他专有快充协议的支持，可以承受10万次以上的重复烧录。
它可用于电源角色的USB Type-C和PD物理层，并支持E-Marker线缆供电，超低功耗模式下耗电量低于10μA。
核心特性：
－ 内部集成ADC，可连续检测电压、电流、温度，以及通过GPIO引脚反馈的系统参数
－ 所有的GPIO均可配置成边缘触发中断，DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式
－ 支持I2C接口和主从模式，集成输出放电功能
－ DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压，可有效防止损坏的数据线造成产品损坏，并内置过流、过压、过热保护
RK837除了通过PD2.0/PD3.0/PPS认证(TID 5141)，还通过了高通QC4+认证，证书编号20210303222。
内部集成Flash、RAM分别增加到64KB、2KB，同样支持10万次以上的重复烧录。
核心特性：
－ 支持USB Type-C和Type-A双接口，支持I2C接口
－ 集成NMOS驱动，VBUS开关管可使用低成本性能好的NMOS，内部集成快速放电电路
－ 内部集成高精度ADC，可实现3-22V以10mV精度输出，使用5mΩ取样电阻，可实现0.1-12A以12mA精度恒流
－ DP/DM/CC1/CC2引脚均支持26V耐压，可有效防止损坏的数据线造成产品损坏，并内置过流、过压、过热保护
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