根据IBM的说法，2nm工艺预计在2024年量产，这个时间点正好卡在台积电2nm工艺量产的范围内。
一直以为台积电会首发2nm工艺芯片，没想到被IBM给抢先了，这给美国公司赢回了足够的面子。据IBM官方表示，这款芯片使用了GAA环绕栅极晶体管技术，密度可达3.33亿晶体管/mm2，能在指甲盖大小（150mm）的芯片上安装500亿个晶体管。
不过仔细算算的话，IBM 2nm工艺的晶体管密度优势没有多大，最终比台积电3nm工艺领先多少还不好说，毕竟后者也有2nm GAA工艺没发。
性能方面，IBM表示他们的2nm工艺在同样的电力消耗下，其性能比当前7nm高出45%，输出同样性能则减少75%的功耗。
还有一些细节，那就是IBM的2nm工艺的纳米片为3层堆栈，高度75nm，宽度40nm，栅极长12nm，纳米片高度5nm——里面没有一个参数是2nm的，因为2nm的命名还是沿用了传统2D晶体管的标准。
在台积电的2nm工艺还在研发阶段没有公布技术细节的情况下，IBM这次在美国的实验室率先推出了2nm技术是很有象征意义的，美国现在也在努力夺回半导体工艺领先地位，IBM的2nm工艺给了信心。
不过IBM量产2nm工艺的难度也不小，因为现在这个技术还是实验室生产的，IBM没有大规模生产的条件了，这次2nm工艺还有三星、Intel的参与，后面两家有可能吸纳2nm工艺技术（至少是部分）。
根据IBM的说法，2nm工艺预计在2024年量产，这个时间点正好卡在台积电2nm工艺量产的范围内。
网友评论