SK海力士今日宣布，成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E显存，并开始向客户提供样品进行性能验证。
SK海力士今日宣布，成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E显存，并开始向客户提供样品进行性能验证。HBM（High Bandwidth Memory）是一种垂直连接多个DRAM的显存产品，与DRAM相比显著提升数据处理速度。HBM DRAM产品以HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E的顺序开发。 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。
SK海力士强调：“公司以唯一量产HBM3的经验为基础，成功开发出全球最高性能的扩展版HBM3E。并凭借业界最大规模的HBM供应经验和量产成熟度，将从明年上半年开始投入HBM3E量产，以此夯实在面向AI的存储器市场中独一无二的地位。”全新的HBM3E不仅满足了用于AI的存储器必备的速度规格，也在发热控制和客户使用便利性等所有方面都达到了全球最高水平。此次产品在速度方面，最高每秒可以处理1.15TB的数据。其相当于在1秒内可处理230部全高清电影。与此同时，SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF2最新技术，其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性，因此客户在基于HBM3组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
英伟达Hyperscale和HPC部门副总裁伊恩·巴克表示：“英伟达为了最先进加速计算解决方案所应用的HBM，与SK海力士进行了长期的合作。为展示新一代AI计算，期待两家公司在HBM3E领域的持续合作。”SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示：“公司通过HBM3E，在AI技术发展的同时备受瞩目的HBM市场中有效提升了产品阵容的完成度，并进一步夯实了市场主导权。今后随着高附加值产品HBM的供应比重持续加大，经营业绩反弹趋势也将随之加速。”
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