三星预告将会举办名为“具有PAM3优化TRX均衡和ZQ校准功能的16Gb 37Gb/s GDDR7 DRAM”的主题活动，介绍其最新的GDDR7内存技术。
ISSCC 2024（IEEE 国际固态电路会议）即将于2月18日至22日在美国旧金山举行，不少厂商会展示最新的半导体制造技术。其中三星已经预告将会举办名为“具有PAM3优化TRX均衡和ZQ校准功能的16Gb 37Gb/s GDDR7 DRAM”的主题活动，介绍其最新的GDDR7内存技术。
早在去年7月，三星就宣布已完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps，并承诺GDDR7在能效方面相比GDDR6会有20%的提升。首款16Gb GDDR7芯片在位宽为384位的情况下，提供了高达1.536 TB/s的带宽，远远超过了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。速度与现有的GDDR6X DRAM相比，也提升了50%以上。
与现有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDR6X的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。由于GDDR7使用的PAM3信号编码机制更加复杂，控制器需要更强大的功能，消耗不一定比GDDR6少。为此三星引入了具有高导热性的环氧模塑化合物（EMC），让GDDR7封装的热阻降低了70%，以确保有源组件不会过热，在高速运转时仍有稳定表现。据悉，三星GDDR7 DRAM将包括专门为高速工作负载优化的技术，还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等需要注意功耗的应用而设计，能效预计将提升20%。
此外，早在去年8月份就有报道称，三星向英伟达提供了GDDR7 DRAM样品，用于下一代游戏显卡的早期评估，这意味着将在年内发布的全新RTX 50系显卡有望首发该款显存。
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