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上海，2007年6月19日 – 阿尔卡特朗讯（巴黎证交所和纽约证交所：ALU）近日宣布，阿尔卡特朗讯贝尔实验室半导体研究所助理副总裁卓以和（Alfred Y. Cho）荣获2005年美国国家技术奖章（U.S. National Medal of Technology）。该奖项代表着科技发明创新类最高荣誉，由美国总统亲自颁发。这是贝尔实验室及旗下科学家第八次获得这一殊荣。
卓以和已在贝尔实验室工作了39年，为发明分子束外延技术（MBE）并推动其商业化进程作出了卓越贡献，并享有盛誉。MBE技术能够让有序材料以单原子层为单位进行生长，该技术可用于高级光电子产品生产环节必需的高精度半导体元件工程处理。MBE技术可用于生产与当今电子时代紧密相关的高级设备，如手机射频开关、前端放大器及功率放大器，以及CD播放机和光驱中使用的半导体激光器等。
“MBE技术具有极其深远的影响力。阿尔卡特朗讯的发明会产生一种无法靠自然生成或其他任何已知技术制造的材料，”阿尔卡特朗讯贝尔实验室总裁Jeong Kim表示。“MBE技术不仅在日常生活中获得了广泛的应用，对前端技术研究也是至关重要的。这项技术现已成为阿尔卡特朗讯研究机构以及其他科研实验室在拓扑量子计算、多层膜晶体生长等各类科研领域以及高速晶体管、微波设备、激光二极管及探测器等研发领域关键的研究手段。在人们把‘纳米技术’作为谈资前几十年，那时的卓以和正在它变成了现实。”
卓以和先生先后在美国伊利诺斯大学电子工程系取得了学士、硕士及博士学位，并于1968年加入贝尔实验室。他是美国国家科学院院士、美国工程院院士、美国物理学会、美国电气电子工程师学会成员以及美国国家艺术与科学院院士。
他曾在1993年获得美国国家科学奖章（National Medal of Science），于1982年获得了美国物理学会颁发的新材料国际奖（American Physical Society International Prize for New Materials），1987年美国电化学学会颁发的固态科技奖章（Solid State Science and Technology Medal），并于1988年分别获得美国材料信息学会颁发的世界材料大会奖（World Materials Congress Award），美国真空协会颁发的Gaede-Langmuir 奖（Gaede-Langmuir Award），以及美国工业研究所颁发的工业研究所成就奖（Industrial Research Institute Achievement Award）。1990年他又获得了新泽西州长Thomas Alva Edison科学奖（New Jersey Governor's Thomas Alva Edison Science Award），1994年他获得了IEEE荣誉奖章（IEEE Medal of Honor）。
除了以上这些奖项，他还于1990年获得了美国晶体生长联合会颁发的国际晶体生长奖（International Crystal Growth Award），1994年获得美国材料研究学会颁发的Von Hippel奖（Von Hippel Award）。1995年，他分别获得美国富兰克林研究所颁发的 Elliott Cresson奖章（Elliott Cresson Medal）和日本C&C 基金会颁发的计算机与通信奖（Computers & Communications Prize）。
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