确实，对于现在的AMD和ATi来说，正在较为艰难的行进之中。单单在处理器方面来看，虽然中低端市场AMD凭借着良好的架构，特别是价格方面的整体优势，确实让Intel让出了不少份额。但是高端，特别是曾经让AMD雄心勃勃的服务器市场，并没有出现令人满意的一面。两家如此重头的上游
华硕EAH2900XT，产品做工与用料
既然采用了公版设计和配置，华硕这款显卡在做工和用料方面自然不用令人担心。不过对于这一次ATi在辅料规格上的疯狂，我们还是认为有必要简单的介绍一番。华硕ATi Radeon HD 2900XT核心与显存采用分离式供电方案，每一个供电体系首先由一颗VT1165MF PWM控制芯片来进行对电流输入输出的调节和控制。同时继续采用优秀的MultiPhase技术，所使用的则是QFN封装的VT1165SF芯片，该芯片内置Mosfet场效应管。其核心部分共使用了多达六颗VT1165SF芯片。前端则是多颗Pulse耦合电感，共有一颗Pulse PA1314NL+一颗PA1312NL组成强大的电容阵列。
4Pin风扇接口-供电，测温，温控一应俱全
PA1314可看作四相供电所用的电容器组合，而PA1312则是两相。而其每一相最大供电可达到40安培！标准工作状态下前者为核心可提供最大40A*4=160A的供电，而后者则可提供40A*2=80A的电流供应。这已经完全超越了R600核心真正所需。吃掉240A供电的GPU核心相信我们暂时还无法看到。ATi如此打造或许更多是为了严格保证R600能运行在一个最为稳定的平台上，同时这对于超频用户来说也是相当不错的设计。
原厂散热器的厚重也印证了其用料的奢侈
ATi采用的这些辅料均具有转换迅速，损失小，电气性能强劲同时抵抗干扰能力优秀等特点。与此同时，显存供电方面R600也采用了一颗VOLTERRA VT1165MF PWM控制芯片+一枚QFN封装内置Mosfet——VT1165SF驱动芯片，以及一颗Pulse PA0511.101NL电容器（单相）来解决问题。对于512MB容量512bit规格的DDR3来说这些已经绰绰有余。不过ATi觉得这还不够……
被巨大散热器所覆盖的数字供电系统
正面显存右上角，有这么一套供电电路。由一颗同样来自于VOLTERRA的VT223FT PWM芯片（内置驱动和Mosfet）和Pulse PA0511.221NL单项电容器组成的一路供电，这仅仅是为显存I/O提供电流之用。但一般情况下可以说并没有什么必要采用此电路，毕竟显存供电电路已经能满足需求。在这里我们只能奇怪鱼ATi为何如此大动干戈而丝毫不考虑成本。
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