RamBus将公布一款为未来多核构架准备的,全新TB级带宽的多核心存储芯片结构。
这一设计使用了16个DRAM通道,每个通道都可以直接连接到多核心处理器组,速度传输率16Gbps,每个时钟周期传送4bytes数据,这样的带宽就超过了1024Gb,该产品采用了65nm工艺制造。
这意味着的单通道速度就可以达到64GB/s,这一技术今天(11月28日)在东京Rambus Developer Forum上正式公布。
RamBus将公布一款为未来多核构架准备的,全新TB级带宽的多核心存储芯片结构。
这一设计使用了16个DRAM通道,每个通道都可以直接连接到多核心处理器组,速度传输率16Gbps,每个时钟周期传送4bytes数据,这样的带宽就超过了1024Gb,该产品采用了65nm工艺制造。
这意味着的单通道速度就可以达到64GB/s,这一技术今天(11月28日)在东京Rambus Developer Forum上正式公布。
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