IBM在下一代非易失性记忆体技术上下了大赌注。该公司发布了“赛道记忆体(Racetrack memory)”芯片原型。该芯片使用的是普通芯片集一样的制造技术。
IBM在下一代非易失性记忆体技术上下了大赌注。该公司发布了“赛道记忆体(Racetrack memory)”芯片原型。该芯片使用的是普通芯片集一样的制造技术。
赛道记忆体的竞争对手是如下这些技术：相变记忆体(PCM)，三层单元(TLC)NAND，磁阻随机存取记忆体(MRAM)——甚至IBM过去的基于MEMS(微机电系统)的Millipede。
IBM的赛道记忆体研究的目标是创造一个结合硬盘驱动器高容量性和闪存记忆体高速度性以及可漫游性特点的存储技术。简而言之，赛道记忆体通过纳米线传送“磁道”，利用电子的自旋来进行写入，通过一个类似于硬盘驱动器磁头那样的探头来进行读取——只不过赛道记忆体的探头检测的是磁道的边缘而非它们的磁极。
IBM自2005年左右就开始研究赛道记忆体技术，2008年展示了一个工作原型。当时，IBM的营销部门制作了一个相当浅显易懂的视频来解释这个技术背后的概念。
本周一，在华盛顿的IEEE(电子电气工程师协会)国际电子设备大会(IEDM)上，一个重要新闻就是IBM将赛道记忆体纳米线和它们的支持电路放到了一个利用标准制造工具所生产的芯片上——通向规模化生产和商品化的必要步骤。
IBM芯片的纳米线的制作是在硅片顶部敷上一层镍铁合金层，然后利用标准的芯片光刻技术将它蚀刻成各个单独的纳米线。根据麻省理工学院的Technology Review(《技术评论》杂志)，每条纳米线都是大约10微米长，150纳米宽，20纳米厚。
法国基本电子学研究院的Dafiné Ravelosona也在研究赛道记忆体技术。他告诉Technology Review说IBM芯片是“一个很好的展示”，不过由于它每次只能在纳米线上移动一比特而不是一系列比特，因此IBM还需要完成更多的工作来完善这个技术。
IBM赛道记忆体技术之父Stuart Parkin回应Ravelosona说“我们也在关注这个问题”。Parkin和他的团队正在寻找可以更加稳固地承载信息的材料，以便能够在同一条纳米线上方便地容纳多个磁道。
多磁道问题什么时候解决还未可知，不过赛道记忆体肯定不会很快出现在你的Ultrabook笔记本上。当然，IBM会继续解决这个问题，同时它的竞争对手也会继续在下一代非易失性记忆体技术上的工作。
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