市场主流DDR2 800内存年终横向评测

互联网 | 编辑: 2007-12-13 00:30:00原创 一键看全文

说起07年的内存市场,不得不先提一下Vista的正式发布,不可否认,Vista的发布带动了整个内存市场的快速发展,也让更多的用户以极低的价格享受大容量内存,与06年的DDR转向DDR2不同,07年DDR2已经是大张旗鼓,成为了“绝对”的主力,虽然说规格上相对稳定,但是内存容量与价格

DDR2-800内存横评,DDR2技术回顾

DDRII内存能有如此之多的技术革新,归功于研究人员们多年的研究。其实早在1998年JEDEC(电子工程设计发展联合协会)就开始着手研究DDRII技术,2003年就通过了JEDEC规格标准化,不过大规模登录市场还是从去年开始,这是为什么呢?在Intel推出 915/925芯片组之前(如图1),DDRII与DDR400相比,除了在技术性能上更加优秀外,无论是实用性还是性价比都没有优势可言。在大多数FSB为800MHz的Intel Pentium 4处理器面前,双通道模式下的DDR400所提供的6.4GB/S的带宽就已经能满足要求,而DDR2上市之初的价格也无法与DDR相抗衡,所以无论从性能需求还是从性价比去考虑,DDR2在上市好一段时间内都是在低市场份额情况下徘徊。

Feature/Option DDR DDR2
DDR2相对技术优势
Package内存芯片封装 TSOP and FBGA FBGA FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array:细间距球栅阵列)封装提供了更好的电气性能与散热性
Voltage电压 2.5V 1.8V DDR2 SDRAM仅为1.8V的工作电压可以大幅降低内存的功耗,以及减少发热量
Densities 内存芯片规格 64Mb–1Gb 256Mb–4Gb

更高的单条内存容量在需要大容量内存的平台上更具成本优势

memory subsystems Internal Banks 4 4 and 8 1G或1G以上容量的内存将使用8
banks技术,提高内存性能
Data Transfer Rate 运行频率 200 MHz
266 MHz
333 MHz
400 MHz
400 MHz
533 MHz
667 MHz
800 MHz
速度大幅度提高到800MHz以上
内存带宽 双通道DDR2667提供高达10.6GB/s的带宽 6.4GB/s (双通道DDR400) 更高的内存性能
Modules模组

184-pin DIMM

200-pin SODIMM

172-pin MicroDIMM

240-pin DIMM

200-pin SODIMM

214-pin MicroDIMM

改良的PCB线路与供电设计
革命性的4bit预读取能力、ODT和Post CAS技术。
CAS Latency延迟时间 2 2.5 3 clocks CL+AL CL = 3 4 5clocks
在一个前置CAS作业中,一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该CAS指令可以在DRAM一侧保持,并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。简化了控制器设计,避免指令通道上的冲突。从而带来性能的提高
终结电阻ODT 主板控制 DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计,内建终结电阻。 在每一个芯片上终止内存信号来增强内存质量与完整性。这样可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器,简化了主板设计,降低设计制造成本。
Prefetch(预读取) 2 4 在同一核心频率时,获得两倍DDR的带宽

DDR2是由JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,电子元件工业联合会)定义的全新一代内存技术规范标准。首先我们要知道DDR2 SDRAM依然属于DDR范畴,也就是在时钟信号的上升沿与下降沿传输数据。DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始,现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz,对应的DDR II模组命名则几乎是延续了DDR内存模组的:PC2-3200、PC2-4300和PC2-5300。工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准,完全不兼容于现有DDR的184PIN DIMM接口标准。作为DDR内存新一代技术革新的产物,DDR II具有4bit预读取能力、实现更高的运行频率与系统带宽,更低的功耗与发热量、更大容量的封装与全新的OCD、ODT和Post CAS技术。

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