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固态硬盘（SSD）是一项大有前途的技术，不过，有分析师表示，在高端企业或者“存储级”的应用上，这一技术可能还没有做好准备。
Convergent Semiconductors研究机构分析师Bob Merritt表示，基于NAND的固态硬盘可能会在高端企业以及“存储级”应用上碰壁。同NAND相比，相变存储技术（phase-change）和电阻记忆体技术（resistive memory），看起来会更有希望应用于存储设备上。
基于NAND闪存的固态硬盘，其诞生目的是为了在某些应用，如移动PC，笔记本电脑和企业服务器上能够取代硬盘驱动器。但是固态硬盘相比硬盘更为昂贵，两者之间的价格差距很大。
另外，这一市场也刚刚起步。固态硬盘在移动PC，高端笔记本电脑和服务器应用上还属于“小荷才露尖尖角”的阶段。
Merritt说：“过去，我们在存储数据上使用磁性介质，DRAM以及SRAM。所有这些技术在写入和擦除数据上被认为是零损耗的，因此在擦写周期上是无穷的。”
他说：“不过，NAND有一个已知的损耗过程。理论上，SLC的擦写寿命为数万次，MLC则在数千左右。所以我们要仔细考虑的应用程序的性能需要，然后再决定应用SSD是否恰当。”
Merritt说：“从人们称为“企业级”的更高层次表现中，OEM厂商能够确定一些不需要大量擦写周期的应用，NAND SSD能够轻松应对那些初级应用。”
据报道，包括IBM和SanDisk在内的一些公司，“不相信NAND能够应用在需要更高可靠性的企业级存储上。”Merritt说。
将固态硬盘定位于这种情况同样是一个错误。他说：“固态硬盘是一个有着重要积极影响和巨大容量提升潜力的产品。半导体公司的风险是由OEM方，或极有可能让最终用户承担。在固态硬盘还未成熟时就将其投入应用，最终只会让市场认为固态硬盘“不可靠”。从保证技术的健全的角度来说，我觉得，完全转嫁责任的做法对半导体公司来说还言之过早。”
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那么结论是什么？固态硬盘是一些应用的完美选择，但并不是所有的。对高端企业而言，使用NAND闪存基础的固态硬盘将不会有什么损害。
IBM和SanDisk相信，“相变和电阻存储将是唯一两种看起来会在商业上可行的技术。”Merritt说。
IBM公司将电阻记忆体技术称为“solid electrolyte”或“SE memory”。Merritt补充道，目前已知的SE memory是惠普的memresistor技术和Arizona State/Axon Technology记忆体。
新兴技术正在迎头赶上
在电子电路学上，忆阻器（memristors）属于除电阻，电容和电感以外的第四种被动电路。在基础材料控制上所取得的进展，使得这一技术正在逐步向成品化靠拢。2009年前后可能会有相关成品设备问世。
今年4月，惠普实验室声称“发现”了忆阻器。目前，位于加州Palo Alto的惠普实验室表示，他们正在研究如何控制忆阻器材料，以改变其内阻，进一步提高响应速度。更为长远的规划是，希望能为这一材质加快开发商业标准芯片，从而能在明年为其RRAM（resistive random-access memory 电阻式随机存取记忆体）所用。
Axon Technologies公司提出了一种称之为PMC（Programmable Metallization Cell 可编程金属单元）的记忆体装置。PMC是一种依靠电阻变化，状态稳定的记忆体技术。它同闪存这类传统设备相比功耗更低。业界认为PMC的应用范围极广，在节能计算、个人娱乐和移动通信等应用上都会表现得很理想。
PMC由亚利桑那州立大学开发。Axon的稳定记忆体技术正在朝着离散存储器和嵌入存储器双方向发展。
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