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那么结论是什么？固态硬盘是一些应用的完美选择，但并不是所有的。对高端企业而言，使用NAND闪存基础的固态硬盘将不会有什么损害。
IBM和SanDisk相信，“相变和电阻存储将是唯一两种看起来会在商业上可行的技术。”Merritt说。
IBM公司将电阻记忆体技术称为“solid electrolyte”或“SE memory”。Merritt补充道，目前已知的SE memory是惠普的memresistor技术和Arizona State/Axon Technology记忆体。
新兴技术正在迎头赶上
在电子电路学上，忆阻器（memristors）属于除电阻，电容和电感以外的第四种被动电路。在基础材料控制上所取得的进展，使得这一技术正在逐步向成品化靠拢。2009年前后可能会有相关成品设备问世。
今年4月，惠普实验室声称“发现”了忆阻器。目前，位于加州Palo Alto的惠普实验室表示，他们正在研究如何控制忆阻器材料，以改变其内阻，进一步提高响应速度。更为长远的规划是，希望能为这一材质加快开发商业标准芯片，从而能在明年为其RRAM（resistive random-access memory 电阻式随机存取记忆体）所用。
Axon Technologies公司提出了一种称之为PMC（Programmable Metallization Cell 可编程金属单元）的记忆体装置。PMC是一种依靠电阻变化，状态稳定的记忆体技术。它同闪存这类传统设备相比功耗更低。业界认为PMC的应用范围极广，在节能计算、个人娱乐和移动通信等应用上都会表现得很理想。
PMC由亚利桑那州立大学开发。Axon的稳定记忆体技术正在朝着离散存储器和嵌入存储器双方向发展。
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