最近这段时间，随着内存芯片颗粒的单价不断下滑，在市场上也无论是高端还是低端都杀出了不少新生品牌，今天我们评测室又为大家带来一个全新的品牌，它就是KINGXCON金士刚，KINGXCON金士刚创立于2000年初，公司致力于计算机存储产品的专业制造及供应。KINGXCON凭着对DRAM
第五页 测试平台与测试数据列表
测试平台 ：
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硬件平台 | |
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CPU |
Intel Pentium 4 EE Prescott 3.73G(ES)LGA775 |
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主板 |
ASUS P5WD2-E Premimum (i975X+ICH7R) |
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内存 |
KINGXCON PC2-6400 DDR2 800 1024m x2 |
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硬盘 |
WesternDigital 160JS 8m Cache SATA Interface |
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显卡 |
XFX nVIDIA GeForce6 6800GS 256M |
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软件平台 | |
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系统软件 |
WindowsXP Professional(5.01.2600 SP2)_en DirectX 9.0C |
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驱动程序 |
Intel infinst_autol_7.2.2.1006 |
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测试软件 |
CPUz v1.32.1 |
DRAM 相关设置参数说明 ：
CAS Latency(CL)：
内存CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间控制DRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。
Row Active Delay(tRAS)：
内存行地址选通延迟。调整这个参数需要结合具体情况而定，不同的平台对应不同的设置。
RAS-to-CAS Delay(tRCD)：
内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。该参数可以控制内存行地址选通脉冲信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟，参数越小速度越快。
Row Precharge Delay(tRP)：
内存行地址选通脉冲预充电时间。该参数可以控制在进行DRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数，数值越小速度越快。
测试成绩 ：
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Item of Test |
Comparing Platform | ||
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@533 4/4/4/11 |
@800 5/5/5/16 | ||
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Futuremark PCMark05 Memory Score |
Overall |
4469 |
4597 |
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Memory Read-16MB |
6173.936 MB/S |
6319.608 MB/S | |
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Memory Write-16MB |
4046.303 MB/S |
4056.506 MB/S | |
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Memory Copy-16MB |
4447.355 MB/S |
4657.139 MB/S | |
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Memory Latency Random-16MB |
8.856 MAcesses/S |
10.185 MAcesses/S | |
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SiSoftware Sandra Professional 2005 |
RAM Int Buffered iSSE2 |
5061 MB/S |
5123 MB/S |
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RAM Float Buffered iSSE2 |
5014 MB/S |
5114 MB/S | |
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SuperPI_en |
1M |
34.485s |
33.938s |
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8M |
6m26.328s |
6m14.500s | |
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SciencceMark Membench |
4563.80MB/S |
4728.42MB/S | |
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WinRar Benchmark |
468KB/s |
540KB/s | |
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