海力士（Hynix）半导体公司今日宣布，其已经成功开发出世界首款采用54nm工艺技术制造，适用于便携设备的1Gb Mobile DDR2内存颗粒。
海力士（Hynix）半导体公司今日宣布，其已经成功开发出世界首款采用54nm工艺技术制造，适用于便携设备的1Gb Mobile DDR2内存颗粒。公告中宣称：海力士已经克服挑战成功迈入了50nm级工艺，生产出的内存颗粒拥有高频和低功耗的特点。
该款内存最高速度为1066MHz，功耗仅为上一代的mobile DDR的50%或者是标准版DDR2颗粒的30%，是一款环保型设备。
该产品符合JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council 电子元件工业联合会）标准，非常适合于下一代移动平台应用，比如MID（Mobile Internet Device 移动互联网设备），上网本和高端智能手机，以应付这些设备对高带宽和延长电池寿命的需求。
海力士计划在今年下半年开始大规模生产此类产品，以满足高性能移动应用平台日益增加的需求。
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