Intel硅光电子研究加速进行

互联网 | 编辑: 张杨 2009-06-19 00:00:00转载

据英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士介绍,英特尔已经研制出了传输速率可以达到200Gb/s的集成硅光电子发射器,它是一颗集成硅光电子的测试芯片,共有8个通道,每个传输速率为25Gb/s,能够达到200Gb/s,未来路线图是要达到1Tb/s。

图为英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士介绍英特尔硅光电子研究进展

英特尔企业技术事业部光电子技术实验室高级研究员亢宜敏告诉CNET科技资讯网,硅光电子学可以应用于对带宽需求高的远程医疗和3D虚拟世界等未来数据密集型计算领域。要用硅器件来代替以往由昂贵的半导体制造的光电器件,对于IT产业是一大革命。

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