据介绍，通过在14nmDRAM中应用5个EUV层，三星实现了自身最高的单位容量，同时，整体晶圆生产率提升了约20%，与前代DRAM工艺相比，14nm工艺可帮助降低近20%的功耗。
今日，三星表示，14纳米EUV DDR5 DRAM已经正式开始量产。自从三星去年3月份推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。根据最新DDR5标准，三星的14nm DRAM速度高达7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。
三星指出，随着DRAM工艺不断缩小至10nm范围，EUV技术能够提升图案准确性，从而获得更高性能和更大产量，因此该项技术变得越来越重要。
据介绍，通过在14nmDRAM中应用5个EUV层，三星实现了自身最高的单位容量，同时，整体晶圆生产率提升了约20%，与前代DRAM工艺相比，14nm工艺可帮助降低近20%的功耗。
值得一提的是，三星还计划扩展其14nm DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机与企业服务器的应用。
同时，三星预计将14nm DRAM芯片容量提升至24GB，以搞好满足全球IT系统快速增长的数据需求。
三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee 表示，“通过开拓关键的图案技术，三星活跃全球DRAM市场近三十年”。
他强调，如今，三星正在通过多层EUV建立起另一个技术的里程碑，该技术实现了14nm的极致化，这也是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的。
在此基础上，三星将继续为5G、AI和元宇宙中需要更高性能和更大容量的数据驱动计算，提供最具差异化的内存解决方案。
