2026年2月13日消息,三星电子已正式启动HBM4高带宽内存的商业发货。
2026年2月13日消息,三星电子已正式启动HBM4高带宽内存的商业发货。

据了解,HBM4采用三星第六代10纳米级DRAM工艺制造存储单元芯片,同时结合4纳米逻辑制程打造基板芯片,实现了单引脚11.7Gbps的数据传输速度,远超行业标准机构JEDEC规定的8Gbps上限,带宽较上一代HBM3E提升22%,单个堆栈总内存带宽增长2.7倍。同时,尽管未公开具体名单,但多方信息证实英伟达为首个主要客户,供货将用于其下一代AI加速器平台Vera Rubin;AMD、谷歌TPU项目也同步接收产品。

此外,三星计划在农历新年假期后启动大规模出货,2026年HBM产品规模预计较2025年增长三倍以上,并积极扩建平泽工厂产能。