据央视新闻报道，近日，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院科研团队，成功发布一项半导体电荷存储技术，每秒可执行25亿次操作，是迄今为止全球最快的半导体电荷存储技术，存储器被命名为“破晓”。
4月18日消息，据央视新闻报道，近日，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院科研团队，成功发布一项半导体电荷存储技术，每秒可执行25亿次操作，是迄今为止全球最快的半导体电荷存储技术，存储器被命名为“破晓”。
据央视报道，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室成功在理论上预测了“超注入现象”，一种新型的电荷注入机制。“破晓”只有1平方厘米大小，外观和普通存储器别无二致，然而它通过创新的物理机制，将存储器擦写速度提升到400皮秒实现一次擦或者写，一皮秒只相当于一万亿分之一秒。“破晓”这个速度相当于每秒可执行25亿次操作，比传统闪存快一百万倍。
据复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室团队介绍，这一速度的提升是极具突破性的，完全打破了现有的存储技术框架的理论瓶颈。这一创新不仅实现了速度上的巨大突破，而且这种新型存储器在掉电的情况下，数据也不会丢失。
据悉，这项技术成果商业应用后，有望助推人工智能计算发展，目前已经能够实现小规模的全功能的芯片（流片）。复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室团队，下一步就可以开始把它尝试集成到现有的手机和电脑，这样的话，我们的手机和电脑在部署本地模型的时候，再也不会遇到卡顿发热等现有的存储技术带来的一些瓶颈问题。
