据韩媒chosu报道，目前，三星电子集中资源提升2nm工艺良率，正加速平泽园区2nm生产线建设。
据韩媒chosu报道，三星电子已启动"精选和聚焦"战略，集中资源提升2nm工艺良率，试图以产量和成本优势挑战台积电在先进制程领域的领先地位。供应链消息称，三星预计2nm芯片需求将持续至少3年，因此决定推迟原定2027年量产的1.4nm工艺至2029年，将资源集中于2nm技术的优化。目前，三星正加速平泽园区2nm生产线建设，重点改进芯片散热、稳定性及性能表现，避免重蹈3nm工艺良率不佳的覆辙。
根据此前数据，台积电、英特尔、三星的2nm工艺（N2/Intel18A/SF2）良率分别为65%、55%和40%。三星计划通过全环绕栅极（GAA）晶体管技术的迭代，将良率提升至70%。其第二代GAA工艺已接近完成设计，第三代"SF2P+"技术也进入研发阶段，预计未来两年内落地。
尽管三星在先进制程竞争中暂处下风，但行业分析指出，2nm及以下节点在未来四年需求强劲，尤其在AI芯片和高性能计算领域。若能实现良率突破，三星或可重塑代工市场格局。目前，台积电仍占据技术领先优势，但三星的激进投资可能成为变数。
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