三星Galaxy S26 Ultra配置采用美光最新的LPDDR5X内存，单通道数据传输速率可达10.7Gbps。
近日，来自社交平台爆料人士PhoneArt的最新信息显示，三星下一代旗舰机型Galaxy S26 Ultra在内存配置方面将迎来明显升级。该机型预计将采用美光最新的LPDDR5X内存，单通道数据传输速率可达10.7Gbps，较前代Galaxy S25 Ultra的9.6Gbps有显著提升。这是移动端消费级设备首次实现LPDDR5X内存速率突破10Gbps。
据悉，性能提升主要得益于美光全新的1γ（1-gamma）DRAM架构。与上一代1β（1-beta）架构相比，1γ在功耗效率、多任务处理能力以及高带宽负载场景下的稳定性方面均有优化。这一改进预计将显著提升大型游戏、4K/8K视频编辑及AI运算等对内存带宽依赖较高的应用表现，并有助于降低整体功耗，从而延长设备续航。
除内存外，Galaxy S26 Ultra预计将搭载高通骁龙8 Elite 2处理器，进一步增强整机在高强度运算与AI场景下的处理能力。在影像系统方面，早前信息显示该机将回归机械可变光圈设计，并升级潜望式与超广角镜头的像素规格，新增激光对焦传感器，同时测试更高规格的视频录制功能。
