2025年11月19日，据CFM闪存市场最新报价，继DRAM大幅涨价后，Flash Wafer(闪存晶圆)价格全面上涨，最高涨幅38.46%。具体来看，1Tb QLC涨25.00%至12.50美元，1Tb TLC涨23.81%至13.00美元，512Gb TLC涨38.46%至9.00美元，256Gb TLC涨14.58%至5.50美元。
2025年11月19日，据CFM闪存市场最新报价，继DRAM大幅涨价后，Flash Wafer(闪存晶圆)价格全面上涨，最高涨幅38.46%。具体来看，1Tb QLC涨25.00%至12.50美元，1Tb TLC涨23.81%至13.00美元，512Gb TLC涨38.46%至9.00美元，256Gb TLC涨14.58%至5.50美元。
当前内存价格上涨是长周期行为，主要驱动力来自AI领域对HBM的激增需求，而非传统手机或笔记本行业周期波动，像HBM这类适配AI的产品产能翻倍后仍供不应求，进一步加剧了市场紧张。
对此，11月18日小米集团总裁卢伟冰在举行的小米三季度业绩媒体电话会上就存储成本攀升问题作出回应，卢伟冰表示，目前来看，预计要到2027年才可能有新的产出，面对这一行业趋势，小米已提前布局，与合作伙伴签订了2026年全年供应协议，确保全年供应不受影响，未来可能通过涨价和产品结构升级来平滑成本压力。
