三星仍是老大 引领新工艺与新市场
●30纳米级DRAM或将在明年普及
除了在产量和占有率上领先之外，三星、尔必达等业界一线DRAM芯片制造商也早已不止一次推进工艺水平进步的步伐。今年7月，三星率先开始量产30nm级工艺技术的DRAM芯片，而尔必达也在12月开始进入到这一阶段，2011年1月全球第二大DRAM厂商海力士也会跟进，而台系厂商将有望与明年下半年升级到新的工艺。
三星率先量产30nm级工艺技术的DRAM芯片
30纳米级意味着一个加工技术节点在30至39纳米之间。更新的工艺可以使内存颗粒变得更小、密度更大，成本也会下降30%。同时新的工艺技术可以使DRAM芯片达到更高的频率，功耗却会减小。这在一定程度上可以推进单条4GB内存或者DDR3 1600内存的普及。考虑到英特尔新平台的运行需求，以及应用软件和服务器的需求来看，2Gb DDR3芯片需求量在明年将会大幅度增长。
●LPDDR2已成为新的市场增长点
DRAM行业还涉及到移动市场，比如以ARM架构为核心的平板电脑、智能手机等等，小尺寸的LPDDR2内存，这对于DRAM厂商来说显然是个新的契机。因为相比PC市场的萎缩，移动市场可谓呈现着另一面景象。人们对手持移动设备的需求越来越高，该行业的前景非常乐观。
尔必达量产的LPDDR2颗粒
三星、海力士、尔必达，包括镁光等公司均是LPDDR2芯片的推动者，目前工艺技术也已经推进到了30纳米级。目前采用双片堆叠封装的芯片即可实现8Gb的容量，相比之前的采用四个2Gb堆叠封装的8Gb芯片可以节省25%的功耗。同时封装厚度也从1.0mm减少至0.8mm。
全新的产品可以进一步推动智能手机的硬件配置，1GB RAM很可能会在明年成为高端Android手机的主流配置。
●DDR3已到瓶颈DDR4内存将到来
DDR4内存将继续推进频率的增长
DDR3内存目前达到2400MHz以上已经让我们欣喜不已，而DDR4内存也已经越来越近。JEDEC协会关于DDR4的峰会早在几年前开展。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内上市，这意味着我们将可能在2011年~2012年间使用上DDR4内存。不过这样要看英特尔和AMD平台的推广力度。
DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。
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