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三星60nm 2G DDR2内存研发成功

2007-09-14 Cbsi中国·PChome.net 类型: 转载 来源: IAUDIO 责编: 查晓杰

三星电子今天宣布,他们已经成功研发出了60nm的DDR2内存芯片,容量达到2G,预计年底就可投入量产。

  2G单条内存将大大提升存储方案的性能,降低功耗,组成4-Rank 8GB内存模组的话,1Gb芯片需要72颗,2Gb就只要36颗,功耗可以降低30%,降低散热需求,提高稳定性。

  三星表示,与80nm的2G DDR2相比,在800MHz频率下60nm的性能提升20%,而功耗降低40%!

  三星在今年年底转向60nm,意味着更低的成本,也就是说近期内存价格大降是很有驱动力的了。

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