三星60nm 2G DDR2内存研发成功

互联网 | 编辑: 2007-09-14 00:30:00转载

三星电子今天宣布，他们已经成功研发出了60nm的DDR2内存芯片，容量达到2G，预计年底就可投入量产。

　　2G单条内存将大大提升存储方案的性能，降低功耗，组成4-Rank 8GB内存模组的话，1Gb芯片需要72颗，2Gb就只要36颗，功耗可以降低30%，降低散热需求，提高稳定性。

　　三星表示，与80nm的2G DDR2相比，在800MHz频率下60nm的性能提升20%，而功耗降低40%！

　　三星在今年年底转向60nm，意味着更低的成本，也就是说近期内存价格大降是很有驱动力的了。

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