DRAM现货价自一月初发动回升行情，DDR2 512Mb eTT由0.8美元上涨至碰触波段高点1.22美元后，此波农历年前行情在近期逐渐降温。现货价经过一周(1/22-1/28)平稳走势，上周(1/29-2/4)现货市场价格开始缓步回文件。以一周均价观察，上周DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT的现货颗粒价分别下跌1.9%及1.38%，但DDR2 512Mb eTT与1Gb eTT均价仍分别力守于1美元与2.1美元关卡之上，只是交投已趋冷清。此回檔行情有一说是中国大雪造成部分交通中断，然实际回软主因仍是农历年前备货买盘动作暂告一段落所导致。
DDR2 1Gb eTT价格在今年一月后更趋近DDR2 512Mb eTT的两倍价格，催化1Gb颗粒现货市场需求增加，并将逐步取代512Mb成为市场主流颗粒。本周1Gb颗粒价格下跌幅度较512Mb颗粒小，其中部分原因在于现货市场上开始有出现卖512Mb颗粒转买1Gb颗粒的交易。若以半年期角度观察，1Gb颗粒未来在模块制造的选择性较多（例如512Mb颗粒就较1Gb颗粒打成2GB模块之成本为高），加上DRAM厂陆续转向70nm制程生产1Gb颗粒，未来512Mb颗粒相对容易脱手，对投机性买盘具有较高之吸引力。
合约市场方面，二月上旬合约价目前有部分谈妥，多数仍在谈洽中，部分OEM甚至打算等过完农历年再谈即可。现货一月以来大涨，拉开现货与合约价差，加上有DRAM厂岁修暂时减少产出，纵使需求平平，DRAM厂商目前对合约价杀低意愿不高，更希冀二月上旬合约价格可上涨3~5%。
