2010年将属于32nm
目前32nm工艺的Fab晶圆厂有四座：俄勒冈州的D1D已经开始试产，临近的D1C将在今年第四季度正式投产，亚利桑那州Fab 32和新墨西哥州Fab 11X。
32nm工艺会把High-K介质和金属栅极技术发展到第二代，还有第四代应变硅技术，可将晶体管体积缩小大约30％，栅极厚度也再次薄到0.9nm，特别是Intel还会在关键层上首次使用沉浸式光刻技术，类似AMD在当前45nm工艺上的应用。
可是说32nm技术是Intel和AMD下一代处理器的基石，由于32nm制造工艺的成功研发，我们才能享受到更优秀的PC性能。
下一页笔者将为大家带来AMD有在2010年发布的重量级产品，从它“推土机”的命名就能得知其性能非同小可。
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