电脑之家（PChome）4月21日消息，为了继续推动NAND闪存的生产，三星公司近日宣布，他们已经开发出了20纳米的NAND闪存，可以用于SD卡或其他嵌入式解决方案之中。根据该公司透露，其20纳米MLC（多层单元）NAND将比30纳米级的NAND的有着更高的生产率水平（高出50%），同时也可以使SD卡的读写速度达到20MB/s和10MB/s。
“在启动30纳米级NAND生产仅仅一年后，三星就成功地研发出下一代20纳米工艺的NAND，这甚至超出了大部分客户对高性能、高密度NAND解决方案的需求，”三星存储事业部总裁Soo-In
Cho表示，“20纳米NAND将不仅仅是生产工艺的重大突破，更重要的是其代表了先进的技术方向，实现性能上的重大飞跃”。
三星当前的SD卡样品全部采用了全新32Gb 20纳米NAND颗粒，并期望在今年晚些时候实现批量生产。届时三星将提供4GB到64GB的多种20纳米NAND闪存的SD卡产品。
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