三星生产20纳米级3bpc MLC NAND芯片

互联网 | 编辑: 孙伟 2010-10-15 06:00:00编译

三星电子近日自豪地宣布了即将开始制造20nm级3bpc（每个存储单元可以保存3bit数据）、64Gb（8GB）MLC（多层单元）NAND闪存芯片。

“三星曾多次提供领先的NAND闪存解决方案，包括去年十一月开始提供的30nm级，32Gb 3bit NAND闪存，如今我们已经进展到了20nm级64Gb 3bpc的产品，我们对能把ToggleDDR技术使用到高性能NAND闪存当中感到非常兴奋”。

全新的3bpc闪存将被用于高容量的闪存盘和SD闪存卡党和总，当然也会用于智能手机和固态硬盘产品中。

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