2011新主控新制程为企业级添新动力
固态硬盘的发展方向始终只有两大方向——性能和可靠性。伴随着工艺的提升，英特尔第三代固态硬盘也即将登场，而SandForce也准备好了SF-2000系列主控。两家重量级企业将共同在明年为市场带来更多的活力。但是由于面向消费级市场的产品价格依然是导向，因此笔者预计新一代主控首先将会面向企业级市场推出。
●英特尔第三代SSD性能可靠性同步加强
从性能指标来看，第三代X25-M在连续写入性能已经可以达到200MB/s。而且凭借英特尔作为半导体行业巨头的地位，使产品的可靠性大幅度加强，同时全新引入的25纳米制程闪存在降低成本、提高存储密度等方面有着突出的优势。同时新产品在随机写入寿命有了4倍的提升，IOPS也可以达到50K，同时还有掉电保护缓存，AES和FED全盘硬件加密技术的支持。而另一方面则在于面向企业的X25-E G3将采用eMLC闪存取代SLC，这种闪存在耐久性方面可以达到标准MLC的6倍之多，由于其密度接近标准MLC芯片，因此价格也远比SLC要低。
当然目前eMLC闪存已经开始应用，搭配SAS（串行）SCSI接口以及智能的写入管理控制以及垃圾收集等相关机制，和软件相结合，大大提升了企业级固态硬盘的耐久性。企业级存储厂设备商Viking Modular Solutions此前就已经推出了相应的Element系列产品。
●SandForce为企业级市场提供强劲动力
SandForce在明年即将推出的SF-2000系列主控重点增加了对ONFI 2和Toggle NAND闪存的支持，并凭借SATA 6.0Gbps接口，最大读写性能可以达到500MB/s。预计SF-2000系列固态硬盘主要采用镁光的34nm eMLC和东芝32nm eMLC闪存，同时该控制芯片也支持25nm NAND闪存。当然SF-1200所具备的DuraWrite、RAISE等技术也得到加强。
SF-2000系列主控支持AES-256位加密引擎，允许用户针对不同的存储区段设置不同的密码。同时，SF-2000系列主控支持更强劲的ECC校验功能。而通过组建多条RAID 0通道，OWC已经公布了其顶级的Mercury Extreme Pro固态硬盘，容量达到了史无前例的3.2TB。而读写速度更是达到了4GB/s，随机读写性能达到了480K IOPS。为企业级应用提供强劲动力。
●NAND闪存将全面步入20纳米级时代
今年7月位于日本三重县四日市的东芝NAND闪存晶圆厂新厂房Fab 5已经正式开工建设，预计2011年春竣工，同时还会与SanDisk合资成立新的企业。当然，Fab 5将直接使用最先进的20nm级工艺制造NAND闪存。
另外TLC市场也同样受到重视。在8月份，英特尔和镁光一起发布25nm TLC闪存的第一款样品，TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较便宜，有2000-5000次擦写寿命，非常适合U盘、SD卡和消费电子产品。
10月份，三星电子宣布了也将开始制造20nm级3bpc（即TLC）闪存、64Gb（8GB）MLC（多层单元）NAND闪存芯片。同时，新的产品也将融入ToggleDDR技术。
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