镁光说已经做过验证完全不是问题
下面笔者摘自国外网站对镁光C400寿命评估的问题，询问镁光官方得到的答复，原文如下：
Despite using IMFT’s 25nm NAND (at roughly 3,000 program/erase cycles per NAND cell), Micron claims the C400 will last for at least 72TB of writes over its lifetime which is identical to how long Micron claims the C300 will last.[b] I asked Micron why the C400 didn’t incur any endurance penalty with the switch to 25nm, its answer was simple: the C300 was conservatively rated.[/b] Even though the C300 NAND cells will last longer, both it and the C400 will at least make it to Micron’s 72TB rating. Micron also mentioned to me that it writes more than 72TB of data to its drives during development, so this is a verified rating.
“尽管使用了IM Flash Technologies（英特尔镁光合资公司）的25nm NAND闪存（号称每个NAND单元只有3000次的P/E次数），镁光依然宣称C400至少可以达到72TB的写入寿命，这居然和C300是一致的。在询问镁光为什么C400在转入25nm时没有遭遇寿命衰减的问题时，得到的答复很简单：C300的寿命评估太过保守了。总之C300和C400都至少可以达到72TB的写入寿命。镁光同时还暗示在产品开发过程中已经写入了超过72TB的数据，因此镁光才给出了这样的评估”
镁光认为C300的寿命评估得太过保守了
我们来看看，72TB的写入寿命，意味着你每天写入20GB的数据可以使用10年。如果诸如SandForce SF-2000系列主控拥有着更好的写入算法，依然可以获得更长的寿命。毕竟这个“72TB”还远未达到理论数值。
其实有一件事我们是完全不必担心的，对于新产品，各大厂商依然提供三年质保。排除固件的因素，在正常使用强度下，在三年内完全不必担心磨损寿命问题。因为很多固态硬盘都是因为自身固件的缺陷而导致故障的。
无论怎样25nm闪存都将普及
现在来看，25nm工艺已经成为必然趋势，更小的线路宽度使得电荷把握能力更弱，这就像英特尔曾在65nm工艺时遭遇的漏电问题，不过这个问题随着引入的“HK+MG”得以解决。虽然我们不清楚英特尔和镁光在25nm闪存上采用了什么样的栅极介质，但是当整个制程迈入10nm级时相比还会更加困难，尤其是企业级产品。
总之，诸如OCZ和海盗船提供的新产品，依然采用SandForce SF-1200主控，对25nm闪存的支持不一定够好，只是抢占市场的一种行为。如果用户考虑购买，可以等到镁光C400、英特尔X25-M G3以及SandForce SF-2000系列主控产品全面上市时在做打算。
网友评论