新25nm制程固态硬盘速度变慢了吗
关于这个问题，我们先来看一下镁光C400的测试成绩，来自于国外媒体Theregister的信息表明，其256GB型号和512GB型号4KB随机读取和随机写入的性能分别为40K IOPS和50K IOPS，比C300的60K IOPS要略低一些。
尽管镁光C400采用了25nm闪存但是速度依然比C300快
其实这里面也有固件算法优化的问题，而且据悉C400所采用的闪存其一个页面（Page）的大小为8KB而不是4KB。也就是说固件应该是针对8KB进行了算法优化。但我们应该注意的是C400的连续读写速度确实比C300高了不少。
我们再来看看其他的产品，这是海盗船针对F115A和F80A的内部测试，我们可以看出34nm和25nm两种产品在性能方面各有胜负，但总体来看34nm产品的优势更多一些，而且部分测试项目如CrystalDiskMark的4KB随机读写和AS SSD Benchmark的测试项目，差距最高可达30%。
海盗船F115A和F80A的内部性能测试
总之我们从这些测试中可以看出，25nm闪存确实会对性能产生一定影响。但这只是一方面，因为它还依赖于主控算法的优化和写入策略问题。也就是说，尽管镁光C400采用了25nm制程颗粒，但是依靠改进的写入策略和算法，并配合ONFI 2.1标准的闪存，依然获得了比以往更高的性能。
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